C&C事业部供应内置多道工序的洗涤装置，能去除300mm硅晶片双面附着的污染物质，防止因半导体生产现场产生的颗粒物（异物微粒）、金属异物、表面化学附着物质等微小污染物质导致半导体产品等良品率和可靠性降低。
300mm "Wezen BF" (Front Type)
300mm "Wezen BS" (Ⅰ Type)
沉积式清洗装置，将25~50张Wafer沉积在多个清洗槽中，经过各种药剂处理后，用纯水清洗，然后采用Hot IPA进行干燥的一种设备。K.C.TECH Batch洗涤装置可根据 Wafer Flow区分Front Type和Ⅰ Type，能灵活应对工序Line的空间配置。
Particle Performance
· SC1 Last Clean : ≤ 10ea, HF Last Clean : ≤ 30ea
· Rinse only : ≤ 10ea, FRD : ≤ 30ea
Dryer Performance
· Water Mark Free (@IPA Bubble with Hot Function)
Etch Rate Uniformity
· With in Wafer/Wafer to Wafer : ≤ 3%
(Using Thermal Oxide Wafer)
Throughput
· Chemical + RD : ＞ 450wfs/hr(@Front Type)
· CHemical + FRD : ＞ 350wfs/hr(@3FRD)
Metallic Contamination
· K, Ca, Cr, Fe, Zn, Mn, Ni, Cu : ＜ 0.5E10 atoms/cm2
K-3000
为实现对每一张Wafer的精密流程管理，在8个或12个单独的Chamber中进行药剂处理、Rinse、Dry工序的设备。其优点为缩短周期时间，提高Wet Etching时的内部均一性，便于更换或添加药剂和洗涤顺序，提高工序自由度，洗涤/干燥后可马上进行下一步处理，防止污染物附着和自然氧化成膜。
Application
· Polymer Removal, Film Etch, Pre Clean
· FOM, BOE, HF, 03+Nano Spray, DSP, SC-1, IPA/N2 Dry
Specifications
· 4 FOUP In/Out Port
· 12 Chamber, 2 Buffer Station, 2 Layer (Linear Moving WTR)
· Index Robot : Multi Blade (4+1), WTR : Dual Blade
· An Independent Chamber : 1Ch 1PC, 4Aixs nozzle
Features
· Compact Design for Footprint
· Throughput Maximizing Mechanism 460 WPH
· @19m Particle Removal Performance
Equipment Sales Team : equipsales@kctech.co.kr
